Читать «Большая Советская Энциклопедия (ЭП)» онлайн - страница 31

  В 20 в. сохраняется многообразие видов Э. л. («Опавшие листья» В. В. Розанова и «Столп и утверждение истины» П. А. Флоренского, «Неизвестный друг» И. А. Бунина, и «Zoo. Письма не о любви...» В. Б. Шкловского, «Любовные письма англичанки» Л. Хаусмана, «Письмо к англичанам» Ж. Бернаноса), в том числе и оформленных в беллетристические жанры (повесть «Письмо к заложнику» А. Сент-Экзюпери, романы «Мартовские иды» Т. Уайлдера и «Перед зеркалом» В. Каверина). После 2-й мировой войны 1939—45 с расцветом документальной литературы, актуализируется значение письма как непосредственного, подлинного, лирически насыщенного свидетельства («Письма расстрелянных французских коммунистов», 1948).

  Лит.:Античная эпистолография, М., 1967; Елистратова А. А., Эпистолярная проза романтиков, в кн.: Европейский романтизм, М., 1973; Black F. G., The epistolary novel in the late 18 century, Oregon, 1940; Singer G. F., The epistolary novel, Philadelphia, 1933.

  В. С. Муравьев.

Эпистрофей

Эпистрофе'й(от греч. epistrйpho — поворачиваюсь, вращаюсь), второй шейный позвонок у пресмыкающихся, птиц, млекопитающих животных и у человека (у него называется также осевым позвонком). В отличие от других позвонков, на передней (у человека — верхней) поверхности тела имеет зубовидный отросток, вокруг которого вращается первый шейный позвонок — .

Эпитаксия

Эпитакси'я(от и греч. tбxis — расположение, порядок), ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда вещества подложки и нарастающего кристалла различны, и гомоэпитаксию (автоэпитаксию), когда они одинаковы. Ориентированный рост кристалла внутри объёма другого называется эндотаксией. Э. наблюдается при из любых сред (пара, раствора, расплава); при и т. д. Э. определяется условиями сопряжения кристаллических решёток нарастающего кристалла и подложки, причём существенно их структурно-геометрическое соответствие. Легче всего сопрягаются вещества, кристаллизирующиеся в одинаковых или близких структурных типах, например, гранецентрированного куба Ag и решётки типа NaCI, и решётки типа .

 Однако Э. можно получить и для резко различающихся структур, например решёток типа и алмаза.

  При описании Э. указываются плоскости срастания и направления в них: [112] (111) Si//[1100] (0001) Al ₂O ₃. Это означает, что грань (111) кристалла Si (решётка типа алмаза) нарастает параллельно грани (0001) кристалла Al ₂O ₃(решётка типа корунда), причём кристаллографическое направление [112] в нарастающем кристалле параллельно направлению [1100] подложки (см. ) .

 Э. особенно легко осуществляется, если разность постоянных обеих решёток не превышает 10%. При больших расхождениях сопрягаются наиболее плотноупакованные плоскости и направления. При этом часть плоскостей одной из решёток не имеет продолжения в другой; края таких оборванных плоскостей образуют т. н. несоответствия. Последние обычно образуют сетку, в которой можно регулировать плоскость дислокации, меняя периоды сопрягающихся решёток (например, изменяя состав вещества). Таким же путём можно управлять и количеством дислокаций нарастающего слоя.