Читать «Большая Советская Энциклопедия (ЭП)» онлайн - страница 32
БСЭ БСЭ
Э. происходит таким образом, чтобы суммарная энергия границы, состоящей из участков подложка-кристалл, кристалл-среда и подложка-среда, была минимальной. У веществ с близкими структурами и параметрами (например, Аи на Ag) образование границы сопряжения энергетически невыгодно и нарастающий слой имеет в точности структуру подложки (псевдоморфизм). С ростом толщины упруго напряжённой псевдоморфной плёнки запасённая в ней энергия растет и при толщинах, превышающих критическую (для Au на Ag это~ 600
Помимо структурно-геометрического соответствия, сопряжение данной пары веществ при Э. зависит от температуры процесса, степени пересыщения (переохлаждения) кристаллизующегося вещества в среде, от совершенства подложки, чистоты её поверхности и других условий кристаллизации. Для разных веществ и условий существует т. н. эпитаксиальная температура, ниже которой нарастает только неориентированная плёнка.
Процесс Э. обычно начинается с возникновения на подложке отдельных кристалликов, которые срастаясь (коалесцируя) друг с другом, образуют сплошную плёнку. На одной и той же подложке возможны разные типы нарастания, например [100] (100) Au//[100] (100) NaCl и [110] (111) Au //[110] (100) NaCl.
Э. широко используется в
Эпитафия
Эпита'фия(от греч. epitбphios — надгробный), надмогильная надпись, преимущественно стихотворная: небольшое стихотворение, обычно с обращением к покойнику или от покойника к прохожим («Прохожий, стой!...» и т. п.). Существовала и как реальная надпись и как фиктивная (в сборнике стихов). В европейской литературе Э. появляется как разновидность античной
Эпителий
Эпите'лий(от