Читать «Большая Советская Энциклопедия (ВТ)» онлайн - страница 41

  В. э. э. применяется во многих электровакуумных приборах для усиления электронных потоков ( , усилители изображений и т. д.) и для записи информации в виде потенциального рельефа на поверхности диэлектрика ( ). В ряде приборов В. э. э. является «вредным» эффектом (динатронный эффект в , появление электрического заряда на поверхности стекла и диэлектриков в ).

  В высокочастотном электрическом поле E= E ₀coswt, вследствие В. э. э., на поверхностях электродов наблюдается явление лавинообразного размножения электронов (вторично-электронный резонанс). Это явление открыто Х. Э. Фарнсуортом в 1934. Для возникновения резонанса необходимо, чтобы время между двумя последовательными соударениями электронов с поверхностями электродов ( рис. 6 , а) было равно нечётному числу полупериодов высокочастотного поля Е(условия синхронизма). При этом электроны могут приобрести в поле энергию, при которой s > 1. Размножение электронов происходит на поверхностях двух электродов, между которыми приложено высокочастотное электрическое поле, или на одной поверхности, помещённой в скрещенные электрическое и магнитное поля ( рис. 6 , б). Быстрое нарастание концентрации электронов ограничивается ростом пространственного заряда, что нарушает условие синхронизма. Явление вторичного электронного резонанса играет существенную роль в механизме возникновения плотного прикатодного объёмного заряда в и , а также в механизме работы динамических фотоэлектронных умножителей. С другой стороны, это явление может быть причиной нестабильной работы этих приборов и может ограничивать их выходную мощность.

  Лит.:Добрецов Л. Н., Гомоюнова М. В., Эмиссионная электроника, М., 1966; Брюининг Г., Физика и применение вторичной электронной эмиссии, пер. с англ., М., 1958; Браун С., Элементарные процессы в плазме газового разряда, М., 1961; Гавичев Д. А. [и др.], Исследование резонансного высокочастотного разряда в скрещенных полях, «Журнал технической физики», 1965, т. 35, с. 813.

  А. Р. Шульман.

Рис. 5. Зависимость s, h и rот угла падения j первичных электронов для монокристаллов кремния; Е _п= 1000 эв; пунктир — зависимость s (j) для плёнки кремния.

Рис. 6. Размножение электронов в высокочастотном электрическом поле (а) и в скрещенных электрическом Еи магнитном Нполях (б). Поле Нперпендикулярно плоскости чертежа; стрелками показаны траектории электронов.

Рис. 1. Распределение вторичных электронов по энергиям: I — упруго отражённые электроны, II — неупруго отражённые электроны, III — coбственно вторичные электроны; Е _п— энергия первичных электронов.