Читать «Большая Советская Энциклопедия (ВТ)» онлайн - страница 40

  Коэффициент Г, r, · и ґ зависят как от энергии первичных электронов E _пи угла их падения, так и от химического состава, метода изготовления и состояния поверхности облучаемого образца. В , где плотность электронов проводимости велика, образовавшиеся вторичные электроны имеют малую вероятность выйти наружу. В , где концентрация электронов проводимости мала, вероятность выхода вторичных электронов больше. Вместе с тем вероятность выхода электронов зависит от высоты на поверхности. В результате у ряда неметаллических веществ (окислы щёлочноземельных металлов, щёлочногалоидные соединения) Г > 1 ( рис. 3 ). У специально изготовленных эффективных эмиттеров (интерметаллические соединения типа сурьмянощелочных металлов, спецтальным образом активированные сплавы CuAlMg, AgAlMg, AgAlMgZi и др.) s 1. У металлов же и собственных значение сравнительно невелико ( рис. 4 ). У углерода (сажи) и окислов переходных металлов Г < 1 ,и они могут применяться как антиэмиссионные покрытия.

  С увеличением энергии E _ппервичных электронов Г сначала возрастает ( рис. 3 , 4 ). Это происходит до тех пор, пока возбуждение электронов тела происходит вблизи поверхности на расстоянии меньшем, чем их длина пробега. При дальнейшем росте E _побщее число возбуждённых электронов продолжает расти, но основная часть их рождается на большей глубине и число электронов, выходящих наружу, уменьшается. Аналогично объясняется рост s с увеличением угла падения пучка первичных электронов.

  Монокристаллы анизотропны по отношению к движению электронов (см. ). При движении электронов вдоль каналов, образуемых плотно упакованными цепочками атомов, вероятность рассеяния электронов и ионизации атомов повышается (каналирование). Наблюдается также дифракция электронов в кристаллической решётке. В результате этого зависимости s, h и rот угла падения первичных электронов и кривые s ( E _п), r( E _п) и h( E _п) для монокристаллов имеют сложную форму с рядом максимумов и минимумов ( рис. 5 ).

  Приводимые для поликристаллов коэффициенты s, h, r, d обычно представляют собой величины, усреднённые по различным направлениям.

  В. э. э. реализуется за время, меньшее чем 10 ^-12 сек, т. е. является практически безынерционным процессом.

  Самостоятельное значение получило исследование и применение В. э. э. в сильных электростатических полях и электрических полях сверхвысоких частот. Создание в диэлектрике сильного электрического поля (10 ⁵—10 ⁶ в|см) приводит к увеличению s до 50—100 (вторичная электронная эмиссия, усиленная полем). Кроме того, в этом случае величина s существенно зависит от пористости диэлектрического слоя, так как наличие пор увеличивает эффективную поверхность эмиттера, а поле способствует «вытягиванию» медленных вторичных электронов, которые, ударяясь о стенки пор, могут вызвать, в свою очередь, В. э. э. с s > 1 и возникновение электронных лавин. Развитие лавин при определённых условиях приводит к самоподдерживающейся холодной эмиссии, продолжающейся в течение многих часов после прекращения бомбардировки электронами.