Читать «Большая Советская Энциклопедия (СВ)» онлайн - страница 78

БСЭ БСЭ

  Перспективы С. ч. т. тесно связаны с развитием как традиционных, так и новых направлений электросвязи, радиолокации, электроэнергетики, промышленной технологии, с изучением взаимодействия электромагнитного поля с веществом, растениями и др. живыми организмами и т. д., с дальнейшим освоением миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов волн — прежде всего в радиотехнике, ядерной физике, химии и медицине. Они также обусловливаются потребностью в увеличении энергетического потенциала (см. рис. 2, 3) и повышением требований к спектральным характеристикам излучающих СВЧ устройств.

  Лит.: Капица П. Л., Электроника больших мощностей, М., 1962; Сретенский В. Н., Основы применения электронных приборов сверхвысоких частот, М., 1963; Харвей А. Ф., Техника сверхвысоких частот, пер. с англ., т. 1—2, М., 1965; Техника субмиллиметровых волн, под ред. Р. А. Валитова, М., 1969; Лебедев И. В., Техника и приборы СВЧ, 2 изд., т. 1—2, М., 1970—72; СВЧ — энергетика, пер. с англ., т. 1—3, М., 1971; Радиоприёмные устройства, под ред. Н. В. Боброва, М., 1971; Руденко В. М., Халяпин Д. Б., Магнушевский В. Р., Малошумящие входные цепи СВЧ приёмных устройств, М., 1971; Кацман Ю. А,, Приборы сверхвысоких частот, М., 1973; Минин Б. А., СВЧ и безопасность человека, М., 1974; Применение СВЧ в промышленности, науке и медицине, пер. с англ., «Труды Института инженеров по электротехнике и радиоэлектронике», 1974, т. 62, № 1 (тематический выпуск).

  Б. А. Серёгин, В. Н. Сретенский.

Рис. 1. Распределение амплитуд напряжения U и тока I в идеальных (без потерь энергии) разомкнутых (внизу) и короткозамкнутых (вверху) СВЧ линиях передачи различной длины I: а — при l < ; б — I = ; в —  < I < ; г — I = ;  — длина волны; Г — генератор СВЧ колебаний. Рядом с эпюрами показаны эквивалентные схемы линий, отражающие характер их входных сопротивлений: L — индуктивность, С — ёмкость.

Рис. 3. Минимальные уровни шумов СВЧ электронных приборов и устройств и уровни шумов внешней среды (по данным на 1973—1974): 1 — триоды; 2 — полупроводниковые диоды (смесительные); 3 — лампы бегущей волны; 4 — параметрические усилители; 5 — мазеры; 6 — шупы полюса Галактики; 7 — шумы атмосферы Земли; f — частота;  — длина волны; Т — шумовая температура.

Рис. 6. Принципиальная схема (а) и схемно-конструктивное решение (б) транзисторного усилителя СВЧ: 1 — вход; 2 — входная компенсирующая цепь, расширяющая рабочий диапазон частот; 3 — выходная компенсирующая цепь;4 — выход; 5, 6 — вывод заземления; 7 — вывод к источнику питания U; Др — СВЧ дроссель; T — транзистор; R1, R2, R3, — резисторы; C1, C2, C3, C4 — конденсаторы; L1, L2, L3 — катушки индуктивноcти.

Рис. 2. Максимальные уровни мощности СВЧ электровакуумных и полупроводниковых приборов (по состоянию на 1973—1974): 1 — электровакуумные приборы с сеточным управлением; 2 — электровакуумные приборы с динамическим управлением; 3 — полупроводниковые приборы; f — частота;  — длина волны; Р — мощность. Сплошные линии соответствуют непрерывному режиму работы, пунктирные — импульсному.