Читать «Большая Советская Энциклопедия (СВ)» онлайн - страница 78
БСЭ БСЭ
Перспективы С. ч. т. тесно связаны с развитием как традиционных, так и новых направлений электросвязи, радиолокации, электроэнергетики, промышленной технологии, с изучением взаимодействия электромагнитного поля с веществом, растениями и др. живыми организмами и т. д., с дальнейшим освоением миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов волн — прежде всего в радиотехнике, ядерной физике, химии и медицине. Они также обусловливаются потребностью в увеличении энергетического потенциала (см.
Рис. 1. Распределение амплитуд напряжения U и тока I в идеальных (без потерь энергии) разомкнутых (внизу) и короткозамкнутых (вверху) СВЧ линиях передачи различной длины I: а — при l <
Рис. 3. Минимальные уровни шумов СВЧ электронных приборов и устройств и уровни шумов внешней среды (по данным на 1973—1974): 1 — триоды; 2 — полупроводниковые диоды (смесительные); 3 — лампы бегущей волны; 4 — параметрические усилители; 5 — мазеры; 6 — шупы полюса Галактики; 7 — шумы атмосферы Земли; f — частота;
Рис. 6. Принципиальная схема (а) и схемно-конструктивное решение (б) транзисторного усилителя СВЧ: 1 — вход; 2 — входная компенсирующая цепь, расширяющая рабочий диапазон частот; 3 — выходная компенсирующая цепь;4 — выход; 5, 6 — вывод заземления; 7 — вывод к источнику питания U; Др — СВЧ дроссель; T — транзистор; R1, R2, R3, — резисторы; C1, C2, C3, C4 — конденсаторы; L1, L2, L3 — катушки индуктивноcти.
Рис. 2. Максимальные уровни мощности СВЧ электровакуумных и полупроводниковых приборов (по состоянию на 1973—1974): 1 — электровакуумные приборы с сеточным управлением; 2 — электровакуумные приборы с динамическим управлением; 3 — полупроводниковые приборы; f — частота;