Читать «Большая Советская Энциклопедия (СВ)» онлайн - страница 124

Светогорск

Светого'рск (до 1948 — Энсо), город в Выборгском районе Ленинградской области РСФСР. Расположен на р. Вуокса, близ границы с Финляндией. Ж.-д. станция в 196 км к С.-З. от Ленинграда. ГЭС. Целлюлозно-бумажный комбинат.

Светодальномер

Светодальноме'р, см. , .

Светозарево

Светоза'рево (до 1946 — Ягодина; переименован в честь Светозара ), город в Югославии, в Социалистической Республике Сербии, на р. Белица, притоке Моравы. 29 тыс. жителей (1972). Пищевая промышленность (сахарная, овоще-фруктоконсервная, мясная и пивоваренная). Производство кабеля, инструмента и электротехнических изделий; мебели, кирпично-керамические предприятия. Машиностроительно-электротехнический факультет Белградского университета.

Светоизлучающий диод

Светоизлуча'ющий дио'д, светодиод, , преобразующий электрическую энергию в энергию оптического излучения на основе явления инжекционной (в полупроводниковом кристалле с , либо контактом металл — полупроводник). В С. д. при протекании в нём постоянного или переменного тока в область полупроводника, прилегающую к такому переходу (контакту), инжектируются избыточные носители тока — электроны и дырки; их сопровождается оптическим излучением. С. д. испускают некогерентное излучение, но, в отличие от тепловых источников света, — с более узким спектром, вследствие чего излучение в видимой области воспринимается как одноцветное. Цвет излучения зависит от полупроводникового материала и его легирования. Применяются соединения типа A^III B^V и некоторые другие (например, GaP, GaAs, SiC), а также твёрдые растворы (например, GaAs_1-xP_x, Al_xGa_1-xAs, Ga_1-xln_xP). В качестве легирующих примесей используются: в GaP—Zn и О (красные С. д.) либо N (зелёные С. д.), в GaAs—Si либо Zn и Te (инфракрасные С. д.). Полупроводниковому кристаллу С. д. обычно придают форму пластинки или полусферы.

  Яркость излучения большинства С. д. находится на уровне 10³ кд/м², у лучших образцов С. д. — до 10⁵ кд/м². Кпд С. д. видимого излучения составляет от 0,01% до нескольких процентов. В С. д. инфракрасного излучения с целью снижения потерь на полное внутреннее отражение и поглощение в теле кристалла для последнего выбирают полусферическую форму, а для улучшения характеристик направленности излучения С. д. помещают в параболический или конический отражатель. Кпд С. д. с полусферической формой кристалла достигает 40%.

  Промышленность выпускает С. д. в дискретном и интегральном исполнении. Дискретные С. д. видимого излучения используют в качестве сигнальных индикаторов; интегральные (многоэлементные) приборы — светоизлучающие цифро-знаковые индикаторы, профильные шкалы, многоцветные панели и плоские экраны — применяют в различных системах отображения информации (см. ), в и калькуляторах. С. д. инфракрасного излучения находят применение в устройствах , , в и т. д. (см. также ), матрицы таких С. д. — в устройствах ввода и вывода информации ЭВМ. В ряде областей применения С. д. конкурирует с родственным ему прибором — инжекционным лазером (см. ), который генерирует когерентное излучение и отличается от С. д. формой кристалла и режимом работы.