Читать «Занимательно о микроконтроллерах» онлайн - страница 21
Александр Владимирович Микушин
Рис. 3.6.
Однократно программируемые ПЗУ оказались очень удобными при мелко- и среднесерийном производстве, однако при разработке радиоэлектронных устройств часто приходится менять записываемую в ПЗУ программу. ППЗУ невозможно использовать повторно, поэтому при необходимости изменить содержимое памяти, записанное ППЗУ приходится выкидывать, что естественно повышает стоимость разработки аппаратуры. Для устранения этого недостатка был разработан еще один вид ПЗУ, содержимое которого могло бы стираться и программироваться многократно.
Примером такого устройства является ПЗУ с ультрафиолетовым или электрическим стиранием, которое строится на основе матрицы запоминающих элементов, внутреннее устройство одного из которых приведено на рис. 3.7.
Рис. 3.7.
Ячейка представляет собой МОП-транзистор, в котором затвор выполняется из поликристаллического кремния. Затем в процессе изготовления микросхемы этот затвор окисляется и в результате он оказывается окруженным оксидом кремния — диэлектриком с прекрасными изолирующими свойствами. Из-за того, что затвор со всех сторон окружен диэлектриком, он как бы плавает внутри диэлектрика, поэтому его называют плавающим затвором.
В описанной ячейке при полностью стертом ПЗУ заряда в плавающем затворе нет, и поэтому транзистор ток не проводит. При программировании микросхемы на программирующий электрод, находящийся над плавающим затвором, подается высокое напряжение и в последнем за счет туннельного эффекта индуцируются заряды. После снятия программирующего напряжения на плавающем затворе индуцированный заряд сохраняется и, следовательно, транзистор остается в проводящем состоянии. Заряд на плавающем затворе может храниться десятки лет.
Структурная схема постоянного запоминающего устройства не отличается от описанного ранее масочного ПЗУ. Единственное отличие — это использование описанной выше ячейки вместо плавкой поликремниевой перемычки. Такой вид ПЗУ в отечественной литературе получил название «репрограммируемые ПЗУ» (РПЗУ).
Стирание ранее записанной информации в репрограммируемых ПЗУ осуществляется ультрафиолетовым излучением. Для того чтобы оно могло беспрепятственно воздействовать на полупроводниковый кристалл, в корпус микросхемы РПЗУ встраивается окошко из кварцевого стекла. При облучении микросхемы изолирующие свойства оксида кремния теряются, накопленный заряд из плавающего затвора стекает в объем полупроводника, и транзистор запоминающей ячейки переходит в закрытое состояние. Время стирания микросхемы колеблется в пределах 10–30 минут.
