Читать «Занимательно о микроконтроллерах» онлайн - страница 19

Рис. 3.2. Условное графическое обозначение постоянного запоминающего устройства

Для того чтобы увеличить разрядность ячейки памяти ПЗУ, одноразрядные микросхемы можно объединять. При этом параллельно соединяются одноименные адресные входы и входы сигналов управления RD и CS, a информационные выходы остаются независимыми. Схема объединения одноразрядных ПЗУ для реализации многоразрядного запоминающего устройства с восемью 4-разрядными ячейками приведена на рис. 3.3, а условное графическое обозначение 8-разрядного ПЗУ с 1024 ячейками памяти — на рис. 3.4.

Рис. 3.3. Схема многоразрядного ПЗУ

Как видно из приведенной схемы, адресные входы схемы объединяются параллельно. При этом возрастает общий входной ток микросхем памяти, протекающий по каждой линии адресной шины. Чтобы в результате не увеличивался входной ток запоминающего устройства, на адресных входах предусматривают усилители сигнала. В этом качестве можно использовать самые обыкновенные инверторы, как это показано на рис. 3.3. Точно с такой же целью поставлены инверторы и на управляющих входах чтения RD и выбора кристалла CS. При этом активными становятся низкие уровни этих сигналов.

Масочные ПЗУ изображаются на схемах как показано на рис. 3.4. Активность низких уровней сигналов CS и RD обозначена кружками возле соответствующих управляющих входов.

Рис. 3.4. Условное графическое обозначение многоразрядного постоянного запоминающего устройства

Запись информации в ПЗУ (микросхему, доступную только для чтения) производится при помощи последней операции изготовления микросхемы — металлизации. Она выполняется при помощи маски, поэтому такие микросхемы получили название масочных запоминающих устройств. Еще одно отличие реальных микросхем от упрощенной модели, приведенной выше, — это использование для дешифрации адреса кроме мультиплексора, еще и дешифратора. Такое решение позволяет превратить одномерную запоминающую структуру в двухмерную и тем самым существенно сократить объем схемы внутреннего дешифратора адреса. Реализация ПЗУ с двухмерной структурой запоминающих элементов показана на рис. 3.5.

Рис. 3.5. Схема масочного постоянного запоминающего устройства с двухмерной матрицей запоминающих элементов

Рассмотрим подробнее работу этого ПЗУ. В отличие от схемы, приведенной на рис. 3.1, в данном случае не используется непосредственное соединение входов мультиплексора с общим проводом. Вместо этого подключение производится через резистор. В результате, если с выхода дешифратора не будет подан единичный уровень, то на входе мультиплексора будет присутствовать уровень логического нуля. Запись логической единицы в ячейку ПЗУ производится соединением линий выхода дешифратора и входа мультиплексора в точке их пересечения. Если же в ячейку необходимо записать логический ноль, то соединение цепей не производится. Именно такая запоминающая структура получила название «матрица».