Читать «Занимательно о микроконтроллерах» онлайн - страница 29
Александр Владимирович Микушин
Рис. 3.33.
Первоначально на линии записи/считывания присутствует половина напряжения питания микросхемы. При подключении к линии записи/считывания запоминающей ячейки заряд, хранящийся в запоминающей ячейке, изменяет напряжение на линии на небольшую величину Δ
Для регенерации первоначального заряда, хранившегося в запоминающей ячейке, в схеме применяется RS-триггер, включенный между двумя линиями записи/считывания. Схема такого регенерирующего устройства приведена на рис. 3.34.
Рис. 3.34.
Эта схема за счет положительной обратной связи восстанавливает первоначальное значение напряжения, хранившегося в запоминающей ячейке. При этом на соседней линии считывания формируется противоположный сигнал, но т. к. она в данный момент никуда не подключена, то это неважно. То есть при считывании ячейки производится регенерация хранящегося в ней заряда. Для уменьшения времени регенерации микросхема устроена так, что при считывании одной ячейки памяти в строке запоминающей матрицы регенерируется вся строка.
Особенностью использования динамических ОЗУ является мультиплексирование шины адреса. Адрес строки и адрес столбца передаются поочередно. Адрес строки синхронизируется стробирующим сигналом RAS# (
Рис. 3.35.
Рис. 3.36.
Именно так долгое время велась работа с динамическими ОЗУ. Затем было замечено, что обычно обращение ведется к данным, лежащим в соседних ячейках памяти, поэтому не обязательно при считывании или записи каждый раз передавать адрес строки. Данные стали записывать или считывать блоками и адрес строки передавать только в начале блока. При этом можно сократить общее время обращения к динамическому ОЗУ и тем самым увеличить быстродействие компьютера.
Такое обращение к динамическому ОЗУ называется быстрым страничным режимом доступа (FPM,