Читать «Шаг за шагом. Транзисторы» онлайн - страница 202

А теперь представьте себе, что все эти элементы с помощью какой-то фантастической технологии созданы в одном кристалле, причем в таких количествах, с такими данными и при таком взаимном соединении, что в итоге образовалась нужная нам схема усилителя или генератора. Это значит, что в одном кристалле мы получили целый электронный блок, получили так называемую твердую интегральную схему.

Технология, которую мы назвали фантастической, в действительности существует. И с ее помощью ученые и инженеры уже научились создавать в небольшом кристаллике самые различные твердые схемы.

Как видите, финиш нашего долгого путешествия можно одновременно считать и стартом в новые интересные области — в область более сложных и совершенных транзисторных схем, в область более глубокого их исследования и в область новых направлений полупроводниковой техники и технологии. Однако продвижение вперед по всем этим интересным направлениям— это уже новые задачи, которые в этой книге решаться не будут. Потому что задача этой книги состояла лишь в том, чтобы помочь читателю сделать трудный первый шаг в транзисторную электронику. Первый шаг, но, хочется верить, не последний.

Рисунки

_{[27, 42-45, 97, 104, 110-113, 118, табл.10]}

Рис. 27. Схемы с полупроводниковыми диодами.

Рис. 42. Выпрямители для питания транзисторной аппаратуры (1—3) и для зарядки автомобильных аккумуляторов (4—5).

Рис. 43. Двухдиапазонные детекторные приемники.

Рис. 44. Усилитель для громкоговорителя — микрофона (1) и трехкаскадного усилителя высокой частоты для детекторного приемника (2).

Рис. 45. Двухдиапазонный приемник прямого усиления по схеме 2—V—2.

_{На схеме 9 R10 и R13 по 1,5 ком; R11 — 20 ком.}

Рис. 97. Схемы простейших приемников.

Рис. 104. Схемы усилителей низкой частоты.

Рис. 110. Усилитель НЧ с выходной мощностью 2,5–3 вт.

Рис. 111. Простейший электроорган.

Рис. 112. Электромузыкальный инструмент терменвокс.

Рис. 113. Переключатель елочных гирлянд.

Рис. 118. Схемы транзисторных генераторов

 _{Примечания:}

_{1. Жирным шрифтом выделены названия транзисторов обратной проводимости (n-p-n).}

_{2. Величина тока, указанная жирным шрифтом, — это максимально допустимый импульсный ток. Средний ток в несколько раз меньше.}

_{3. Величина предельно допустимой мощности, указанная над чертой, соответствует случаю использования транзистора с радиатором, под чертой — без радиатора.}

_{4. Большинство транзисторов, имеющих схему выводов 2 (по рис. 92), могут иметь несколько иное конструктивное оформление (название начинается с букв "МП" вместо "П"; см. стр. 257) и соответственно схему выводов 3.}

_{5. Во многих случаях в таблицах приводятся приближенные параметры, с достаточной, однако, точностью для радиолюбительской практики.}