Читать «Шпионские штучки, или Секреты тайной радиосвязи» онлайн - страница 89
Михаил Васильевич Адаменко
Грубая настройка рабочей частоты ВЧ-генератора осуществляется изменением расстояния между витками катушки L1, а точная настройка обеспечивается с помощью подстроечного конденсатора С6. При использовании в данной конструкции плоской печатной катушки для настройки частоты используется конденсатор С6.
Необходимо отметить, что одной из особенностей данной конструкции является возможность выбора номиналов большинства входящих в ее состав пассивных элементов в процессе налаживания в сравнительно большом диапазоне. Например, сопротивление резистора R1 может быть от 6,8 кОм до 15 кОм, сопротивление резистора R2 – от 22 кОм до 47 кОм, а сопротивление резисторов R3 и R4 может составлять от 9,1 кОм до 22 кОм. Значение сопротивления резистора R5 следует выбирать в пределах от 3,3 кОм до 4,7 кОм, а резистора R6 – в пределах от 1,5 кОм до 3,3 кОм. Емкость конденсатора С1 может быть от 1000 пФ до 1500 пФ, емкость конденсатора С2 – от 1000 пФ до 0,01 мкФ, а емкость конденсаторов С3 и С7 может составлять от 0,01 мкФ до 0,033 мкФ. Значение емкости конденсатора С4 следует выбирать в пределах от 22 пФ до 33 пФ, а конденсатора С5 – от 6,8 пФ до 8,2 пФ.
Принципиальная схема еще одного варианта радиомикрофона с модулятором на варикапе приведена на рис. 5.10. Его особенностью является использование биполярного и полевого транзисторов.
Рис. 5.10. Принципиальная схема радиомикрофонана на биполярном и полевом транзисторах с модулятором на варикапе
В данной конструкции для усиления сигнала, сформированного электретным микрофоном, используется однокаскадный микрофонный усилитель, выполненный на биполярном транзисторе VT1. Низкочастотный сигнал на базу транзистора подается через разделительный конденсатор С1. Максимальная амплитуда неискаженного усиленного сигнала на выходе микрофонного усилителя будет в том случае, когда напряжение на коллекторе транзистора VT1 составляет примерно половину от величины напряжения питания каскада. Для стабилизации положения рабочей точки транзистора VT1 в данном случае используется схемотехническое решение с цепью отрицательной обратной связи по напряжению. Резистор R2, образующий цепь ООС, подключен между коллектором и базой транзистора VT1. Принцип действия такой схемы стабилизации был подробно рассмотрен в соответствующем разделе одной из предыдущих глав.
Усиленный НЧ-сигнал, снимаемый с коллекторной нагрузки транзистора VT1 (резистор R3), через резистор R4 подается на варикап VD1 и инициирует изменение емкости варикапа по закону модулирующего сигнала. Напряжение смещения подается на варикап через резисторы R3 и R4. Необходимость использования резистора R4 объясняется различиями между величинами коллекторного напряжения транзистора VT1 микрофонного усилителя и напряжения смещения варикапа VD1.
Варикап VD1 подключен параллельно резонансному контуру, образованному подстроечным конденсатором С3 и катушкой индуктивности L1. Этот контур входит в состав высокочастотного LC-генератора, выполненного по схеме Хартли на полевом транзисторе VT2, который по переменному току включен по схеме с общим стоком. Конденсатор С2 сравнительно большой емкости обеспечивает развязку варикапа VD1 и затвора транзистора VT2 по постоянному току. Транзистор VT2 по переменному току включен по схеме истокового повторителя, то есть с общим стоком. Электрод стока этого транзистора замкнут на шину корпуса через конденсатор С4. Принцип действия LC-генератора, выполненного на полевом транзисторе по схеме Хартли, был подробно рассмотрен в соответствующем разделе одной из предыдущих глав.