Читать «Юный техник, 2000 № 11» онлайн
Журнал «Юный техник»
ЖУРНАЛ «ЮНЫЙ ТЕХНИК»
НАУКА ТЕХНИКА ФАНТАСТИКА САМОДЕЛКИ
№ 11 ноябрь 2000
Популярный детский и юношеский журнал.
Выходит один раз в месяц.
Издается с сентября 1956 года.
ФОТОФАКТ
СОБЫТИЯ ГОДА
«Мы страна оптимистов. Пессимисты все уехали. А мы вот остались здесь и будем трудиться, чтобы наша страна не только выжила, но стала наконец по-нормальному развиваться».
Жорес АЛФЕРОВ
У российской науки праздник. В начале октября стало известно о присуждении Нобелевской премии 2000 года по физике нашему ученому, вице-президенту Российской академии наук Жоресу Ивановичу АЛФЕРОВУ.
Алферов руководит знаменитым Физико-техническим институтом имени А.Ф. Иоффе в Санкт-Петербурге, где издавна готовились кадры физиков для нашей страны. Сам ученый является основателем нового направления электроники; под его руководством осуществлялись исследования гетероструктур и создание нового типа полупроводников на их основе.
— Упрощенно говоря, имеется в виду следующая вещь, — делится лауреат. — На протяжении своей истории полупроводниковая электроника использовала различные материалы. Скажем, до войны исследования начинались с использованием кадмиевых фотоэлементов и селеновых выпрямителей, а также элементы на основе закиси меди.
В военные годы развитие радиолокации потребовало новой технологии элементарных полупроводников на основе германия и кремния. На германии работали первые транзисторы, на кремнии — интегральные схемы.
Вся микроэлектроника на протяжении последних сорока лет — это неуклонное движение к субмикронной технологии, когда на одном кристалле размещаются десятки тысяч, а то и миллионы элементов микросхемы.
Гетероструктуры — это когда уже в одном кристалле вы размещаете самые разнообразные структуры, меняя его состав и свойства по своему усмотрению. Изменения эти происходят на межатомных расстояниях внутри одной и той же кристаллической решетки.
Так появилась возможность использовать для работы схем не только электроны, но и фотоны, свободно переходить от лазерной технологии к электронной и наоборот. При этом меняются не только химические свойства материала, но и его энергетические параметры, зонная структура, волновые функции, квантовые свойства…