Читать «Цифровой журнал «Компьютерра» № 117» онлайн - страница 6

Память завтрашнего дня

Олег Нечай

Компьютерные накопители на основе микросхем флэш-памяти, получившие название SSD (Solid State Drive, то есть «твёрдотельный привод»), появились на массовым рынке всего лишь в середине «нулевых» годов. При этом их самые неприятные недостатки были сведены к минимуму лишь к 2010 году, когда и начался бум «твёрдотельников»: они стали надёжнее, их ёмкость принялась плавно расти, а цена — быстро падать.

К несомненным преимуществам SSD-накопителей перед винчестерами обычно относят в 2-2,5 раза большую скорость чтения (до 250-300 Мб/с), на порядок меньшее среднее время доступа (0,12-0,18 мс против 14-15 мс), низкое энергопотреблением, полную бесшумность, высокую надёжность и устойчивость к механическим воздействиям благодаря полному отсутствию движущихся частей.

Второй «врождённый» недостаток заключается в том, что для записи на SSD-накопитель требуется приложение относительно высокого напряжения от 10 до 20 В, которое необходимо для преодоления слоя диэлектрика. Разумеется, это не лучшим образом сказывается на энергопотреблении, особенно в портативных устройствах, питающихся от аккумуляторов.

В свою очередь, при увеличении плотности ячеек для повышения плотности записи неизбежно уменьшается толщина диэлектрика, что позволяет снизить напряжение записи, — но в таком случае проблема износа становится ещё актуальнее.

И, наконец, быстродействие SSD-накопителей вовсе не настолько высоко, как может показаться. Оно впечатляет, если сравнивать с обычными жёсткими дисками, но даже не самая скоростная современная оперативная память опережает «твёрдотельники» по производительности и времени доступа как минимум в 20-25 раз.

Есть два способа, которые позволяют преодолеть ограничения по быстродействию, сроку службы и плотности записи. Можно совершенствовать применяемые материалы либо взять за основу конструкции накопителя существенно иной принцип хранения информации.

Работы в первом направлении ведутся давно различными производителями памяти, но все они пока упираются в дороговизну и неотработанность технологии. К примеру, технология SONOS (Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon) отличается от классической флэш-памяти тем, что плавающий затвор ячейки выполнен не из поликристаллического кремния, а из нитрида кремния (Si₃N₄), имеющего более однородную молекулярную структуру и потому способного лучше удерживать заряд. При этом слой диэлектрика может быть значительно тоньше, а напряжение записи — в несколько раз меньше. В современных образцах памяти SONOS, продвигаемых компаниями Philips, Spansion, Infineon и Qimonda, напряжение записи составляет от 5 до 8 В, а теоретическое число циклов записи/стирания достигает 100 миллионов, что в 1000-10000 раз выше, чем у обычной SSD.