Читать «Перелом. Часть 3» онлайн - страница 80

А еще то же самое, но с ионными пучками - тут шли двумя путями - и легирование широким пучком через маску, и попытки рисовать узким пучком уже сами элементы. Первый способ давал обнадеживающие результаты - возможность управления разгоном ионов позволяла регулировать глубину их проникновения - а это важно даже не столько для полевых транзисторов (хотя и для них тоже - если делать скрытые каналы с высоким легированием), сколько для биполярных - высокоскоростным пуском загнать вглубь эмиттер, менее скоростным - базу, и еще менее скоростным - сформировать коллектор у самой поверхности, ну и к базе и эмиттеру пробить легированные проходы, к которым паять электроды - технологических операций много, но с биполярными по другому наверное и не получится. А вот второй способ пока не радовал - сложности с фокусировкой пучков давали слишком размытое пятно - ведь пучок состоит из положительно заряженных частиц, а они все норовят оттолкнуться друг от друга - трудно удержать их в одной упряжке. Да и долго это - вырисовывать каждый элемент каждого транзистора.

Тут, кстати, больше надежд было на рисование электронным лучом на фоторезисте и дальнейшим смывом и легированием обычным способом - с электронными пучками были те же сложности с фокусировкой, но меньший размер и заряд частиц все-таки обеспечивал узкое пятно - порядка ста нанометров - а это в тысячу раз меньше, чем наши текущие технологические нормы. Мне смутно вспоминалось, что DECовская Alpha на чуть более "толстом" техпроцессе выдавала более полутора гигагерц рабочей частоты, а интеловские Пентиумы с не к ночи будь помянутой NetBurst - и до двух с половиной гигагерц, пусть еще и с другими технологическими хитростями. Ну а нам для конвейерных числогрызов такое и надо - конвейер все-равно сбрасывать не придется, так как не будет неудачных предсказаний, а все ветвление будет выполняться с помощью отдельного вектора с битовыми масками - "выполнять или не выполнять операцию".